写在最前面：
本人也是从小白过来的，有个玩笑说“用了3块英特尔的CPU，小白还是小白；折腾了3块AMD的U，能把小白锻炼成一个工程师”
玩笑归玩笑，本人已经成功的从小白过渡到了老白，距离工程师只差一个林大的距离了。
一代锐龙没上手，据说渣渣。从19年上了2700到今年上了3700X，俩代锐龙小有心得，分享给想玩AMD的朋友。
但是丑话说在前头
一：本人是90年代化学工程的大学生，对计算机并非专业，只凭个人爱好，因此写的东西很多可能有偏差甚至是错误，能够虚心接受各位大佬的批评指正，但不想被打脸，如果回复我譬如“你懂个毛线，胡扯，说的是狗屁”之类，真的会打消我发帖的积极性的。老白有一颗玻璃心
二：起码给10人以上加V，慢慢教怎么超，记得最清楚的一次就是有次某鱼出了一对C9BJZ，买家从收到货开始和我视频，让我教他怎么超4266，从上午10点，整整折腾到下午4点半孩子放学才挂，比较欣慰的是，他晚上发消息来说MT过了200%基本稳了。要知道他只是听朋友说C9白马甲能超4266，但是连台风，挨打64，MT什么都不知道的玩家。所以，这个帖子，我会尽量用通俗易懂的方式讲诉出来。


在此，我想对各位小白，半小白说一句：如果你连看一个帖子的耐心都没有，就别去超频了，玩默认吧，华硕的F5，微星的F6，主板自动设置最佳状态。


进入正题
A88时代用的华硕，后来一直馋MSI的BIOS，直到本次机缘巧合，给3700X配了一个ROG老版的次旗舰板-C6H，不吹不黑，这个板子12项供电，黑金电容，LN2液氮模式，板载各种超频相关按钮，一键清除CMOS等等，最关键的是，它是AMD为数不多的T拓扑结构布局的内存插槽（4根内存比2根好超），除了单M.2好像没什么缺点了。因此我决定用它战ZEN3了。



1：本文所用的BIOS截图来源于ROG C6H，用的语言是中文模式，部分还是显示的英文，在帖子里我会把对照的英文中文写出来。（题外话：感觉做BIOS的华硕工程师的中文水平还不如我读初中的孩子）
2：部分功能是ROG才有的，华硕其他中低端的可能没有，没有的忽略不计。
3：本贴主讲跟超频相关的选项（包括CPU和内存），但也兼顾了BIOS选项的说明，所以可能比较长，认真看，会得到你想要的。


老规矩，开局一张图。

开机的时候按F2或者DEL键进BIOS，按F7进入到高级模式,华硕的主板最上面一排的几个选项卡，包括了，收藏夹，概要，ExtremeTweaker，高级，监控，启动，工具


跟超频相关的，95%的选项在ExtremeTweaker和高级里，所以我们主要讲这俩个选项卡。


ExtremeTweaker：直译：极致系统优化(有的主板这一项是叫：AI Tweaker或者超频设置等名字)
ExtremeTweaker菜单里共有五个大项，我们挨个来看
一：Overclocking Presets（超频设置），有11个小项
二：Precision Boost Overdrive（精准增压超频）
三：内存时序控制（英文模式为DRAM Timing Control）
四：外接数字供电控制（英文模式为：External Digi+ PowerControl）
五：Twerker‘s Paradise（直译就是：极客的乐园，其实就是电压设置）


下一楼，
第一大项，一：Overclocking Presets（超频设置），有11个小项

1：AI 超频调整（英文模式：Overclock Tuner）里面有4个选项，分别是：
自动：英文就是AUTO，没啥好说的,什么都不改，全部交给主板。
Default：默认值，选择它外频默认就是100
手动：建议选择手动模式，方便下面手动填写数值
D.O.C.P Standard: 类似XMP（也有的主板BIOS直接就叫XMP）,让你选择一个内存预设文件档。

2：APU频率（英文模式：BCLK Frequecy）：外频频率，如果超外频，就在这里改写数字，外频默认是100MHz；如果超外频，建议120以下。说实话，现在基本没多少人去超外频了，基本上都是超倍频，所以这里简单带过一下。注意一点，如果在上面选择XMP，那么外频调整的时候，内存频率也跟着改变的。
英特尔很多不带K的CPU，因为锁了倍频，不得已才要超外频，还得主板以及主板的BIOS支持才可以超。
AMD锐龙基本上都是不锁倍频的，所以我们通过超倍频的方式来提升CPU的主频。

3：BCLK_Divider是外频分频器：类比倍频的DID。有的主板在超倍频的时候有FID DID要填写，FID=倍频数，DID=分频数，FID/DID=等效倍频。
BCLK_Divider就是外频的分频器，后面有自动，1，2，4，5几个选项，可以让最终的CPU主频精确到个位数。（部分特殊爱好者以及极限OC玩家喜欢）

4：Performance Enhancer:
由华硕+The Stilt合作，自行扩展的"睿频+超外频"控制功能，调整PPT/TDC/EDC的上限，并以XFR2的为基础，放宽了对温度的限制，即使核心温度较高仍不会触发温度墙，同时解锁对外频的控制，所以玩家可以在自动睿频前提下超外频。
后面有AUTO,Default,Level1 2, Level3(OC),Level4(OC)几个选项。选择自动就好。


第一项的2，3，4点都是关于外频的，因为我们基本不超外频，我们知道就可以了，不深入了解。

这一楼，说第一大项的最后3项，9 10 11项，图中蓝圈部分


9：Core Performance Boost，直译：核心性能提升
这就是相当于牙膏厂的睿频。如果第一项AI 超频调整里选择手动，Core Performance Boost会自动禁止（哪怕你没改动，后面的选项是自动，实际上它是关闭的）
喜欢用睿频的同学，就把第一项AI 超频选择自动，然后第九项：Core Performance Boost开启即可。
譬如3700X，基频/MAX是3.6/4.4GHz,开启这个，平常是以3.6G运行的，但需要的时候3700X会根据你的所开应用（或者游戏）的需求，动态的给你一个或者俩个核心提升到4.3或者4.4G
但我就想问，如果能锁倍频到全核4.4，他不香吗？
打个不恰当的比方，你家仓库有8个搬运工，每人每次能搬36公斤的货物，偶尔给一俩个家伙打一针鸡血，他能扛44公斤，鸡血消化了，又只能扛36公斤了。但只要你提高他们的伙食标准（加点电压），他们8个人每人每次都能扛44公斤了，效率不是更好吗？
所以我个人偏向于锁倍频的。如果锁倍频，第一项选择手动，这个第9项Core Performance Boost，直译：核心性能提升 选择关闭。

10：SMT Mode：极其重要，重要，重要，别乱改
SMT Mode为超线程模式，Auto即可。如果选择关闭，那3700X就从8C16T线程变8C8T,如果不是特别需求，还是别关闭。特别注意：只要关闭一次后，想再次开启，是开启不了的，除非清CMOS或者刷BIOS才可以重新打开超线程。


11：TPU
即自动功率频率控制技术，里面有3给个选项，分别是：
keep current settings：保留当前选项
TpuⅠ：自动超频预设文件1
TpuⅡ：自动超频预设文件2
简单点说就是华硕自己的自动超频模块，也是华硕的主板卖点之一，因为毕竟不是所有的人都会改电压锁倍频之类的，华硕给你预设了超频选项，让你点几次下一步，就能在现有的基础上提升5%到15%的性能（小白最爱）。但是它预设的电压之类的参数值很高，最好别用他的预设，因为我们是锁全核，手动设置电压啊，倍频啊之类的参数超频，因此这个选择keep current settings保留当前选项即可。

今晚最后就说说第二大项
二：Precision Boost Overdrive，直译：精准增压超频注意：新手慎重设置
这就是我们常说的PBO的全称（首字母缩写嘛）
进去后出现子菜单，如图，分为3个小项




1：Precision Boost Overdrive
2：Max CPU Boost Clock Overdrive
3：Platform Thermal ThrottleLimit
第1小项：Precision BoostOverdrive
后面有4个选择， AUTO（自动） / Enabled（开启）/ Manual （手动）/ Disabled(关闭)
PBO技术，精准增压超频 ，就是按照你的供电能力，散热能力给你自动提频。
选择Enabled（开启）/ Disabled(关闭)，就是常说的“打开PBO”“关PBO”
选择AUTO（自动），开启自动档，每次1%到2%的提升直至散热跟不上。
选择Manual （手动），手动档，则会开启新的选项卡，更高级，更复杂，如下图：




多出来4个项目，从上到下依次是
1：PPT Limit：功耗墙，CPU插槽可以输入的总功率。
2：TDC Limit：散热限制电流墙，短期平均电流。
3：EDC Limit：电气性限制电流墙，瞬时电流。
这几个墙先说一下，鉴于ZEN2都是65W和105W（95W的3600X是特殊），所以用65W的3700X和105W的3800X举例说明。
PPT功耗墙：65W3700X，PPT默认88W；105W3800XPPT默认142W；
TDC短平电流墙，65W3700X，TDC=60A；105W3800X TDC=95A；
EDC瞬时电流墙，65W3700X，EDC=90A；105W3800X EDC=140A；
如果你非要设置的话，这3个选项里可以选择使用这些默认值，或者主板规定的最大值，手动设定的话，最大值也是被主板限制的。


4：Precision Boost OverdriveScalar：
让CPU在PBO模式下可以达到更高的频率。选择自动，则在你的温度上限内优先给你的1到2个核心加压升频率，直到撞功耗墙。但实际达到的频率收到多个因素影响，例如PBO limits，温度等等。
选择手动模式时候，又会出来第5个选项
5：Customized Precision BoostOverdrive Scalar：
可以有2X 10X这样的选择，设定值越高，给CPU核心提供的电压越高，可达到的频率就越高。每次自动提升直至散热跟不上或者撞三墙之一。
如果对你的散热很自信，譬如你想“嗨，咱用的是比你5700显卡都贵的高贵的ROG龙神360水冷三猫头鹰风扇，咱不怕”，简而言之就是你对CPU温度控制很有把握，能确保你的CPU在高负载情况下温度都不超过75度，选择手动超频范围X10，如果你不确定或者稳妥起见，就用auto吧。

PBO里最后2个选项


2：Max CPU Boost Clock Overdrive提高最大XFR值
后面选项有0-200MHz的选择
这个就是让你的CPU最大XFR值在官方标称的基础上再次提升0-200MHz.
譬如还是以3700X为例，基频/MAX是3.6/4.4GHz，官方标称的MAX值就是4.4GHz了，如果在这里你在后面选择最大的值200MH，那么理论上，3700X可以达到4.6GHz.
实际上，通过锐龙大师可以看出来，MAX频率是要比官方频率高50MHz左右的，譬如3700X，你不开MaxCPU Boost Clock Overdrive也能PBO到4.45
你就算开了Max CPU Boost Clock Overdrive，也只是理论上能够达到4.6，然鹅并达不到。穷人买不起贵板子，不知道万元级别的主板能不能达到。

3：Platform Thermal ThrottleLimit 温度墙极限
默认是95度，你开启PBO后，当你的CPU传感器检测到你的CPU核心温度达到95度的时候，开始降频。你在这个选项里可以调整温度墙极限，我建议别调。但如果你一定要挑战极限的话，请随意。
譬如咱吧土豪叮当猫，他觉得他的CPU二极管够牛掰，于是情人节晚上叮当猫跟他女朋友想在家里看烟花，他把温度墙极限设置到150度啊，然后捂着女票的眼睛，倒计时：10 9 8 7 5 4，还没喊到3的时候，叮当猫的机箱开始冒烟，倒计时结束时，璀璨的烟花终于伴随着一声巨响，从机箱里迸发出来，叮当猫的3900X也变成钥匙扣了。奥力给！！！
叮当猫气愤的大喊：旧的不去，新的不来，3950快到我怀里来！
猫女友：山久舞玲是谁？旧的不去新的不来？你还换了个东洋新女友？哼，分手

今天就到这里了，明天不知道能不能继续。周6继续不放假，只有晚上才有时间。


上面俩层楼写了关于PBO的，如果想深入了解PBO的同学，可以去B站观摩大佬“零杀十一死Morpheus ”的视频和帖子。
传送门：https://www.bilibili.com/read/cv3841096/

好了，本楼给CPU超频做个总结，懒惰的小白可以直接照抄本楼作业就行。
一：睿频
喜欢用睿频的同学，就把第一项：AI 超频调整（英文模式：Overclock Tuner）选择自动，然后第九项：Core PerformanceBoost开启即可。有时候睿频给的电压比较高，但别怕，主板敢给你就敢用。
优点：不会加速CPU老化速度
缺点：提升幅度不大，不如锁倍频效果来的直观。譬如你开机后倒杯水抽根烟，打开网页，CPU是以基频的速度运行的。如果你锁倍频，即使是刚开机也是以你锁定的主频来运行的。


二：超外频
AMD家基本不锁倍频，所以没必要像英特尔不带K的处理器一样去折腾外频，超外频1是幅度不大，2是对CPU散热是个极大的考验。所以我们不推荐。

三：超倍频
着重说锁倍频，好处就不多说了，1200块的3600锁了倍频后，性能超越双倍价格的3800X睿频。
缺点：加速了CPU的老化，但也没那么严重，不是说CPU本来能用10年的，我超频了，就只能用2年了。低压高频的确不好，短期内看不出来，但是长期高频低压最终肯定会缩gang，大量的事实摆在眼前，所以我个人建议小超一点，别去挑战极限，在基频的基础上提升500-600MHz就行了。
譬如3700X，基频3.6G，你锁倍频就锁42，让主频达到4.2GHz即可。要知道ZEN2里主频最高的3800X，它的基频也才只有3.9G而已。如果你的U本来就是雕，你又打算过渡用，每年换一块U的，那么你大可去挑战极限，让游戏更加酣畅。
锁倍频步骤：
1：AI 超频调整（英文模式：Overclock Tuner）选择手动
2：在CPU Core Ratio处将倍频Auto值修改为你所需要的倍频数字
CPU主频=倍频*外频，外频默认值为100MHz。所以你需要设定你的CPU为4.2GHz时，倍频值应输入42。另外，倍频值每步进为0.25。所以你需要设定你的CPU为4.225GHz时，倍频值应输入42.25。
3：修改CPU电压，在APU电压（英文模式：CPU Core Voltage）处选择手动模式，在跳出来的选项：CPU 核心电压覆写 后面手动填写你的电压值。
这个电压值根据你所超的频率有关，跟你CPU运算核心体质有关，需要自行摸索，一般在1.2V到1.45V之间，你也可以在锁频后，根据AIDA64的传感器（在计算机那一项最下面）里观察到的CPU核心电压来做适当的调整。
4：EPU节能模式选择关闭。
5：防掉压设置（如果你主板有这个功能的话），根据你超的主频和给的电压的高低选择2-4
6：Performance Bias，华硕特有的跑分作弊功能。游戏党建议选择CBR15，提高浮点数运算性能可以略提高帧数，或者干脆Auto

昨晚爽约了，不好意思，原因是因为家里老人想孩子了，俩周没回来了。所以带孩子去了我父母那，顺便折腾了下二奶机。看我的传家宝宝龙达的GT620
AU配N卡，咱这可是主流配置啊。
不过老白对显卡真没啥需求，A10 7800的R7核显我都用了3年，现在迷恋上折腾内存，连帝国时代都不玩了。
下图传家宝神卡镇楼

ExtremeTweaker菜单5大项里的前俩项已经讲完，
一：Overclocking Presets（超频设置），有11个小项，楼层1-12楼
二：Precision Boost Overdrive（精准增压超频，PBO），楼层13-14楼
CPU超频之小白作业----楼层74楼


今天我们说说第三大项
三：内存时序控制（英文模式为DRAM Timing Control）
不废话，上图，如图红圈标的地方。

三：内存时序控制（英文模式为DRAM Timing Control）
很重要，很重要，很重要
点进去后，会打开新的菜单页面，如下图。




老版本的BIOS很简陋，好像就只有主时序设置，C6H的新版BIOS这一栏很长，截图要截4张，我们挑主要的说。

这个新页面就算设置内存各种时序和延迟参数的地方。结合第一个菜单第7项的内存频率（英文模式下为：DRAM Frequecy），那里你填写的内存目标频率，来修改你内存的时序和各种参数。

譬如你买名人堂HOF OC 大师，4000频率的时序是19 25 25 45，你要想在ZEN2里用3800频率，时序16 16 16 32，就要在第一个菜单第7项的内存频率（英文模式下为：DRAM Frequecy），那里你填写的内存目标频率3800，然后在这里改写成16 16 16 32。


图片是我的曜越的TT3200内存，是CJRVKC颗粒的内存，目标频率我选择的3733MHz


我们从上往下挨个说
1：Mem Over Cloc Fail Count-----不是很重要，AUTO即可
内存超频失败重试次数，就是你选择的频率和你填写的参数，主板未能启动，然后再次尝试用这些参数启动的次数，建议自动就行。没必要填写的太大，参数合格了，自然一次性就能点亮了。哪怕部分参数不合格也能正常点亮，大不了开机后出错蓝屏。
这个选项在不同的华硕主板里，或者同一款主板不同的BIOS里，所在的位置也是不同的。譬如我这款C6H最新版BIOS就在最上面。

注意，最主要的部分来了，
第一时序（就是那4个灰色的字体：首选时序）。第一时序设置好，基本就能开机了，小参后面慢慢调整。
在这里我顺便再次吐槽一下华硕的BIOS工程师，不同的主板，翻译的简体中文很多都不一样。就算文字选择简体中文，也有超过65%的部分是英文。已经翻译过来的35%也因为主板的不同或者BIOS的版本不同，翻译的不一样，这也是很多老鸟为什么不用中文模式的原因之一------因为一直看英文，是不会变化的，知道哪个对标哪个选项。如果一直看中文，更新了BIOS可能就看不懂了。我这个学渣，为了拿学士学位证，英语4级都补考了N次的老白表示♥很累。


为了更加直观，我在前面是抄写了中文模式下C6H的选项，后面用红色加粗表示该选项对于的锐龙计算器里的参数名称，方便各位用计算器填写。


内存CAS#延迟（有的主板叫CASLatency）：tCL
DRAM RAS#to CAS# Read Delay ：tRCDRD
DRAM RAS#to CAS# Write Delay：tRCDWR
内存RAS#预充电延时：tRP
内存行有效至预充电的最短周期：tRAS
其实第一时序里还有个值：CommandRate，简称：CR，华硕的主板里叫：Cmd2T
（CR，就是我们常说的1T 2T，真1T，假1T。MSI主板是放在第一时序里的，在tCL的上面。而华硕的主板里叫：Cmd2T，位置一般在在GDM的上面，部分主板全称Command Rate，部分主板简称CR，我个人认为这个很重要，属于第一时序，因此华硕篇我们也把它提到上面来，跟第一时序的其他参数一起说）

在详细说这6个参数之前先说下:tRCD
DRAM RAS#to CAS# Read Delay ：tRCDRD
DRAM RAS#to CAS# Write Delay：tRCDWR
这俩个参数，在很多地方都是合并为一个参数的：tRCD
譬如CPU-Z，Aida64，读取后显示的参数就只是1个tRCD参数，并未分开显示。
内存条包装上面印的参数，譬如HOF 4000的19-25-25-45，第二个25就是tRCD，第三个25是tRP。部分华擎的主板也不能单独设置，只能设置一个tRCD。


而大部分MSI的主板，大部分华硕的主板，这个tRCD是被分为俩个的：tRCDRD和tRCDWR，锐龙计算器里，计算出来的参数，也是分开的。
特别注意的是：锐龙计算器里计算出来的的参数结果，顺序跟主板BIOS设置里的是上下颠倒的。计算器结果是tRCDWR在上，而BIOS设置里是tRCDRD在上，照抄计算器的时候别弄反了。


致新手小白和半小白的一封信：

在内存超频之前你要准备3个常用的软件
1：Thaiphoon，就是大家所说“台风”，目前新版是16.3
2：DRAM Calculator for Ryzen，就是大家所说“锐龙计算器”，目前新版是1.7.0
3：Aida64，就是大家常说的挨打64，目前新版本是aida64extreme625
4：锐龙计算器B站大佬铠歌做了个汉化的1.7.0版本，在本吧精品贴里可下载，传送门：
https://tieba.baidu.com/p/6475996014
5：台风和锐龙计算器的使用方法，详见本人写的帖子，传送门：https://tieba.baidu.com/p/6389253901

写在谈时序之前，在超内存之前，你首先要了解几点：
1：你手中内存条的颗粒具体情况，以及该颗粒的已知的极限频率。
2：内存条的颗粒分布情况，到底是单面8G还是双面8G，还是单面16G还是双面16G
3：确定下你内存超频的目标是几根内存一起超？
4：你所使用的主板DIMM插槽的结构布局到底是T拓扑还是菊花链，2插槽的略过。
5：你主板上CPU的FCLK上限。


说不好听点，你拿着4根8G的2016年生产的，使用海力士MFR的单颗512M的双面条，****链布局的主板上，非要往3800的频率上怼，怎么怼也开不了机，然后发帖求助：我这4根海盗船的内存，为什么就上不了3800频率呢？我的3500X是FCLK拉到1900的哦！


就算是抄作业，也要有一定的了解对不对？手持MFR去超CJR作业，肯定是不行的。
拿着三星Cdie的条子，却非要抄特跳Bdie的作业，我只能说你勇气可嘉。
常见颗粒极限可以看我的帖子：https://tieba.baidu.com/p/6583070743
主板内存插槽布局可以看我帖子：https://tieba.baidu.com/p/6598819872
颗粒单双面查看可以看我帖子：https://tieba.baidu.com/p/6389253901

友情提升：本楼只适合新手


OK，通过79楼，我们读懂了华硕主板首选时序里各种参数（不管它是怎么翻译的）
对应的锐龙计算器里的参数名称，那么我们就开工吧。

上图

1：选择参数
图中蓝圈部分是你选择的参数，其中蓝色方框里的频率，是你在内存频率里选择的目标频率。获取目标频率需要了解颗粒极限，了解自己CPU的FCLK极限，然后确定。
2：导入参数
红色方框内是你导入的内存的XMP信息。（如何获取请详见本人写的帖子，传送门：https://tieba.baidu.com/p/6389253901）
3：计算参数
点击计算（可以优先尝试计算高性能，高性能的参数开不了机再尝试保守计算），得到的参数就在绿色方框里。
4：填写参数
记下这5个参数的对应值，进BIOS填写进对应的地方。
内存CAS#延迟（有的主板叫CASLatency）：tCL
DRAM RAS#to CAS# Read Delay ：tRCDRD
DRAM RAS#to CAS# Write Delay：tRCDWR
内存RAS#预充电延时：tRP
内存行有效至预充电的最短周期：tRAS
填写的时候注意tRCDRD和tRCDWR在BIOS里的顺序。
5：覆写电压
黄色方框内是对应的电压值，包括SOC电压，内存电压，VDDG,VDDP，优先尝试推荐电压，开不了机再尝试最高电压。推荐电压如果可以稳定，可以尝试压到最低电压。
电压如何填写，在哪填写，请接着往下看帖子。


好了，经过上面5个步骤，你的内存超频工作已经完毕。接着就要做测试工作和稳定工作了。

这一楼，是新手进阶楼层引导，接下来几楼，跟主板的BIOS无关，只跟内存超频有关，包括：CR的真假1T， 第一时序几个参数的缩放，几个比较影响内存性能的小参的设置等。
如果是看BIOS详解的，可以略过。


经过不断的尝试，终于达成了内存的目标频率，并且能稳定使用了，好开森啊，果然是自己种的大米，煮的饭才是最香的。自己摸索的超频，比抄作业更有成就感，对不对？更加开森，于是决定去揍叮当猫一顿。
那么恭喜你，自从你入了超频的坑，你就会觉得一切的游戏都已经索然无味了（除了那个游戏之外）。
你的日常休闲已经从吃饭睡觉打游戏，变成了吃饭超频打叮当猫了（是的，觉都不睡了）。


等等，为什么我的AIDA64的跑分没有托尔大佬的跑分优秀？
是的，你只是改了首选时序，而锐龙计算器计算的参数数字，就算是高性能版的，都还算比较宽松。当你手持一对特挑三星Bdie，或者好体质的美光Edie，或者好体质的海力士CJR，却只能3600频率 18 20 20 42的时序在用，总有一种暴殄天物的感觉。


为了更好的发挥内存条的潜能，为了更好的跑分，为了更高的效能，你还要做3件事：
1：确定CR值
2：紧缩时序
3：调整小参

新手进阶之CR，真假1T和GDM的关系


Command Rate，简称CR：意思是首命令延迟，也就是我们平时说的1T/2T模式
华硕的板子，中文摸索下翻译的各不相同，我这块翻译过来就是Cmd2T,如图：


先说结论：
经过微星板厂攻城狮林大和各路论坛的大佬实测，结论如下：实际GDM开启≈2.5T,
实测效能：GDM禁用CR 1T>GDM禁用 CR 2T> GDM开启 CR 1T> GDM开启 CR 2T。
通俗叫法： 真1T 真2T 假1T 假2T
俩根单面8G的内存，尽量把CR设为1T，也就是真1T；
如果是四条单面8G，或者2条双面的16G内存， 1T可能会不稳定，尽量设真2T；
当然，如果还是能设置为真1T也能稳定那更好.


上面的结论可以看出，CR是否能真1T跟一个叫GDM的参数有关，
GDM，全称Gear Down Mode.直译：减速模式。
它是通过降低内存指令和地址总线的有效数据率来改进兼容性，但会牺牲一部分性能，它是默认开启的。
开启GDM的优点：提高内存的兼容性和稳定性，同频率前提下需要的内存电压更低。
开启GDM的缺点：降低了内存的性能，且只能使用偶数tCL,无法开启奇数tCL。
举个栗子：


在GDM开启的前提下，你在BIOS里设15,实际跑的却是16。另外就是上面说的，效能略低于GDM禁用状态的1T和2T，因为GDM开启≈2.5T。
所以GDM能关则关,哪怕用GDM 禁用2T也比GDM开启要强,实在过不了测试，稳不住再开GDM。

GDM禁用的缺点：相比GDM开启都跑CR 1T时，需要的电压略高, 需要的时序更宽松。


感觉GDM说完了，CR也没啥可说的了。可我总觉得胸中还有洋洋洒洒的万言未能吐出，要知道老白我从小就爱看书，特别是《金瓶什么梅》《金麟岂是池中物》《什么白洁》啊都读了很多遍。

新手进阶之首选时序------tCL


华硕主板叫：内存CAS#延迟（有的主板叫CAS Latency），锐龙计算器对应参数是tCL
CAS Latency（简称CL）：CAS即Column Address Strobe，列地址信号，它定义了在读取命令发出后到数据读出到IO接口的间隔时间。CAS在几乎所有的内存读取操作中都会生效，因此CL是对内存读取性能影响最强的。没有之一！


如果已知CL时钟周期值CAS，我们可以使用以下公式来计算实际延迟时间tCAS
tCAS（ns）=（CAS*2000）/内存等效频率
举个例子：譬如英睿达白马甲3000C15，我们知道了他CL时钟周期值CAS是15，那么我们就可以算出他延迟时间tCAS=（15*2000）/3000=10ns
最重要的是反过来也一样，如果我们知道这个内存颗粒，在延迟时间tCAS=8到10ns的时候可以稳定工作，我们就可以算出他的CAS值，并以此来确定我们在修改时序时，CL到底填写多少。
CAS=（tCAS*内存频率）/2000
举个例子：譬如一对载有特挑三星Bdie颗粒的内存条，我们想让他在3800MHz下稳定工作，又已经知道tCAS约等于7.4ns，所以我们可以根据下面的计算得出结论：在使用特挑三星Bdie颗粒的内存条，在超频3800频率的时候，我们可以尝试的CL值约等于14-15：
CAS =（7.4*3800）/2000=14.06 那CL值取15，可以尝试14

我们一般在不知道内存颗粒的情况下，怎么来初步判断内存条的性能？就是看延迟时间tCAS。
看内存颗粒在最低的极限数值还能稳定工作时候的延迟时间tCAS（单位ns），最低的极限数值越小代表该颗粒的超频潜能越好（或者压参数越好）。因为极限tCAS都能稳定工作，那么放宽延迟时间tCAS肯定也能稳定。
一个搬运工能在1小时内搬光仓库的东西，你给他2小时肯定能搬完。
但另一个搬运工正常是2小时才能搬光，你给他1个小时，就搬不完了，就是这个道理。
焰光戟3800C14为什么那么贵？
我们来算算它的tCAS，tCAS=（14*2000）/3800=7.368ns，看，tCAS小于7.4，妥妥的特挑三星Bdie。
虽然tCAS并不是判断内存条好坏的唯一标准，但是它是最容易被我们玩家看到的一个参数，也是最容易算出来的一个参数，可以让我们在付款前初窥端倪。
譬如俩对同样标记为800元的内存，一对是3600C18,另一对是3200C14，纠结吗？
别纠结，算一下即可：
3600C18，tCAS=（18*2000）/3600=10
3200C14，tCAS=（14*2000）/3200=8.5
不管你选什么，反正我选tCAS低的那个，我要3200C14
当然，厂商的刀法是否精准，以及对XMP的宽紧程度也有不小的影响。


另外，CL值跟内存电压也有关联。颗粒的CL值可以随着内存电压的升高而收缩。
绝大部分颗粒的耐电压性还是比较好的，譬如1.35V电压 3600C16，电压提高到1.4V，就可以3600C14。
但是这个耐压的极限并不是无限放大，三星的Bdie和海力士的DJR颗粒，就相当耐压，胆大的极限OC玩家，甚至能把电压放宽到1.8V甚至以上，来测IC颗粒的极限。当然，胆再大他也不敢日常1.8V使用。
但同样是三星的，三星的Cdie颗粒耐电压就不咋地：
从1.2V提到1.35V，CL值的收缩很明显；
1.35V-1.4V，CL值的收缩不再明显；
1.4V再往上提，CL值基本没有收缩的空间了。

新手进阶之首选时序------tRCD,影响频率的重要参数。
新手进阶之首选时序------tRP,影响内存稳定性的参数。


华硕主板中文模式下叫：DRAM RAS# to CAS# Delay，然后分了Read（读取） 和Write（写入），从而进一步将tRCD分成tRCDRD和tRCDWR俩个参数。


上一楼我们说CL值的时候得知，CL时钟周期值是CAS，那这个RAS又是啥？

RAS的含义与CAS类似，就是行地址（Row Address Strobe简称RAS)信号。每一行地址包含1024个列地址（Column Address Strobe简称CAS），当某一行地址被激活后，在这一行中找到相应的列地址，就可以完成寻址，进行读写操作，从已知行地址到找到列地址过去的时间就是tRCD。


tRCD值是最关键的寻址时间，因此它对内存的最大频率影响最大。
一般想要上高频，在提高内存电压和放宽CL值都无效的时候，我们都要放宽这个延迟。
譬如C9BJZ，tRCD值一般比CL高3-5点，如果设置的时候只比CL值多1-2点，那么永远上不去3600频率。
又因为tRCD值跟rank也有关系，2rank（双面条）要想上高频，必须放更宽tRCD值。哪怕你是特挑三星Bdie。
这一点，特挑三星Bdie就非常好，基本能保存跟CL等值或者只大1点，这也是C9BJZ无法超越Bdie的原因之一。虽然美光Edie在极限高频上已经打败了特挑Bdie，但同时序下依然是打不过特挑Bdie的。3800频率下，不是所有的颗粒都能14-14-14的，哪怕是现在的DJR都不行，这也是特挑Bdie的价格一直居高不下的原因之一。


非常有意思的是，很多华擎的主板，不仅没有将tRCD分成tRCDRD和tRCDWR俩个参数，甚至将tRCD和tRP合并为一个参数：tRCDtRP。而在华硕很多老版本的BIOS里，tRP是隐藏的。


板厂的工程师为什么这么做？到底是人性的扭曲还是道德的沦丧？让我们一起走进tRP的内心世界，揭开tRP的神秘面纱。



tRP全称DRAM RAS Precharge Time：就是RAS预充电时间。上面的tRCD说过，当某一行地址被激活后，在这一行中找到相应的列地址，就可以完成寻址进行读写操作。读写操作完成后，会发出行地址关闭命令，并准备对同一个bank中下一个行地址进行操作，tRP就是下一个行地址激活信号发出前对其进行的预充电时间。所以tRP对性能的影响不大，但如果tRP设置的太小，会导致重复激活一个已经处于激活状态的行地址，那就致使RAS激活命令未命中而导致内存的不稳定。因此tRP适当放宽，可以帮助提升内存的稳定性。


不知道大家还记不记得我上面发的锐龙计算器的图？不记得也没关系，因为我决定重发一遍。不废话，上图。


再回想一下我们看过的内存的包装上的时序
英睿达白马甲3000：15-16-16-35
英睿达白马甲3200：16-18-18-36
名人堂HOF 3600：17-18-18-38
名人堂HOF 3600：19-25-25-45
十铨王者之剑4000：18-20-20-44
科赋CRAS X 3200：16-18-18-38
等等等等，是不是发现，基本上市面上所有的XMP内存条，他们的tRCD和tRP值都是一样的？


那么，tRCD和tRP之间到底有什么不可告人的秘密呢？答案来了：
tRCD和tRP是关联的，更准确的说，tRCDRD和tRP是关联的。这意味着如果将tRCDRD设置为19但tRP设置为21，则两者都将在较高的那一个时间运行：即都是21。tRCDRD设置为19是白搭的。反过来也一样，如果将tRCDRD设置为19但tRP设置为8，则两者都将在较高的那一个时间运行：即都是19。

所以，我上面发的计算器，它把tRCDWR给我一个16的值，而将tRCDRD和tRP都给了我一个21的值。
所以，我们在收紧主时序的时候，要注意找到tRCDRD和tRP值的平衡点。


因此请注意：
tRCDRD和tRP是关联的，两者都遵循从高原则。所以别为了时序的数值小显得好看而特意去压缩tRP的值，不仅没能获得性能上的提升，反而增加了内存不稳定的风险。


上面我们说CL的时候说过，绝大部分颗粒的CL值能随着内存电压的提高而收紧，那么tRCD和tRP这俩个参数的数值，跟内存电压的关系如何呢？也能加压收紧吗？
经过各路大佬的研究，得出的结论如下：
随着内存电压的升高
tRCD能收紧的代表颗粒有：海力士的CJR和三星的Bdie
Trp 能收紧的代表颗粒有：美光的Edie和三星的Bdie
tRCD不能收紧的代表颗粒有：海力士的AFR和美光的Edie
Trp 不能收紧的代表颗粒有：海力士的CJR和海力士的AFR
发现没有？2项都不能的，海力士的AFR。单项可以收紧的是美光的Edie和海力士CJR，2项全能的是三星Bdie，3800频率下，不是所有的颗粒都能14-14-14的，哪怕是现在的DJR都不行，这也是特挑Bdie的价格一直居高不下的原因之一。

新手进阶之首选时序------tRAS,第一时序里影响最小的参数，所以就不给它标红了。



tRAS（全称：DRAM RAS Active Time）：行地址激活的时间。
意思就是从一个行地址预充电→激活行地址→行地址寻到列地址→完成数据读取→地址关闭所经过的整个时间，说白了也就是tRCD+tCL的意思。所以，tRAS的值极限最小也应该=tRCD+tCL，常规情况下要≥tRCD+tCL的值。


因为行地址激活只有在空闲的内存新建数据的时候才会使用，所以这个操作并不会频繁发生。因此有的吧友在误操作将tRAS改成极其低的数值时，依然能够顺利开机并使用。


理论上来讲，tRAS不仅仅包含了tRCD+tCL的周期，还应该包含一个同一Rank上内存从读取命令发出到tRP之前的间隔时间，也就是第二时序里面的tRTP
(简单科普时间到：老鸟勿笑
Bank：内存条上，一个颗粒叫做一个bank，就是那个黑黑的小方块。
Rank：内存PCB板子上的一面所有颗粒叫做一个rank，目前市售的8G内存大部分都是一面是8个颗粒，16G内存就是双面各有8个颗粒。
所以单面8G内存就是1rank，8bank，双面的16G内存就是2rank，16个bank）另：最新单Bank容量2GB的16G条已经上市。就是16G的1rank，8bank


所以，最符合逻辑的tRAS值应该是：tRAS ≥ tCL + tRCD + tRTP
最小不得小于 tCL + tRCD
但现在大部分玩家习惯性的将tRAS值设置成≈2倍的tRCD
虽然理论上讲是不对的，但鉴于目前颗粒的情况，绝大部分颗粒的tRCD值≥ tCL值（反正我是没见过C16 14这样的奇葩时序，有的Bdie颗粒开启了GDM，导致CPUZ读取出C16 15 15倒是见过的，因为BIOS里设置的15 15 15，但因为开启了GDM不能CL奇数，自动将CL变成16，所以出现了C16 15 15的状况），所以，tRAS值设置成≈2倍的tRCD值，满足了上面的条件之一，即：tRAS值最小不得小于 tCL + tRCD


那么，tRAS值对我们超频的影响在哪？
tRAS值太紧，有可能会导致数据丢失或不完整；
tRAS值太宽，影响内存性能，尤其是在运行吃内存的应用，导致内存使用量增加的时候。
另外就是，随着一个Bank的容量增加（从现在的单颗粒1GB变成单颗粒2GB），或者是使用双面条，也就是2Ranks的时候，第二时序中tRTP周期会变大，逻辑上会导致太紧的tRAS会不稳定。
所以tRAS值你可以按照习惯设置成≈2倍的tRCD，或者进一步收紧，设置成=tCL + tRCD，然后运行测试程序，加大内存的使用量，只要能稳定就好。如果出现不稳定，我建议设置tRAS ≥ tCL + tRCD + tRTP ，先保存稳定，然后进一步收紧测试，直至不稳再调回上一次的参数。

新手进阶之------调整小参
必须在确认了第一时序后，因为很多小参数是根据第一时序里参数的数值改动的。


如图，小参太多了，好几十项，全说完都能写一本书了，我们就挑能够影响效能和稳定性的比较重要的小参来简单说说。





比较重要的几组小参名称和数值：稳不住这个值可以适当放宽
1：Trc
tRC的值一般≥第一时序里的tRP+tRAS，tRC如果设得太紧可能会直接点开不了机，一般只要能进系统再多加一两个周期都是可以稳定的，可以先尝试tRP+tRAS，不稳再放宽。


2：tRRDS tRRDL tFAW
这一组小参可尽量收紧，比较安全的紧致值是6/6/24，往这组数值上压，极品颗粒甚至可以往4/6/16，4/4/16上收紧。如果压的太紧，出现不稳，可适当放宽。另外，放宽tFAW的值必须≥4倍tRRDS


3：tRDRDSCL tWRWRSCL
tRDRD_SCL和tWRWR_SCL，这一组小参对于内存的读写影响很大，放宽这俩个参数的值来换取高频的做法是不可取的，大多数体质较好的可以压缩到4/4
我们超频的时候尽量往4/4上压，甚至可以降低一档频率来让让这俩个参数保持4/4，譬如你3800频率下这一组小参怎么也收不到4/4，只能5/5甚至6/6。那么你可以试试3733频率。如果能稳住，对比下AIDA64的读写跑分，3733，4/4的读写，应该是超过3800，6/6的。
体质极好的，譬如焰光戟3800C14这些特挑Bdie颗粒，甚至可以往3/3和2/2这个数值上碰，前提是能稳定。


4：tWTRS tWTRL
这一组小参，数值可以压到4/12,如果是极品颗粒，或者对颗粒有信心可以尝试压4/8


5：TRFC
这个值影响延迟很重要，跟颗粒的特性有关，tRFC如果太紧会导致数据出错，甚至开不了机；太宽则影响性能，但可以增加稳定性。差不多每100点能降低1ns的延迟。
在确定了稳定的前提下，找到了最小的tRFC值后，可以根据
tRFC：tRFC2：tRFC4=35：26：16的比例公式，来计算出tRFC2和tRFC4的值，然后在BIOS里覆写。但好像效果一般般，不如tRFC值的改动那么直观。


6：TCKE
TCKE 往1这个数值上怼就是了，尽量收紧到1，实在不稳再放宽。


7：tCWL
tCWL这个数值也很重要，直接跟tCL绑定，但事实上有的主板可以修改这个值，大部分主板改不了。绝大部分情况下，tCWL值= tCL，极限玩家在可以修改tCWL值的主板上可以尝试把这个数值改写成比tCL低1到2个点的数值。


8：ProcODT
如果在收紧时序或压小参的时候无法开机，可以尝试改变ProcODT。华硕主板默认ProcODT为40Ω，你可以根据锐龙计算器给的推荐值，尝试在40Ω和68.6Ω之间的值。



9：tWR
内存写入后的恢复时间，是tRP的前一个操作。这个值如果设得太短，可能会导致前一次写入未完成就开始下一次预充电，那么前一次写入的数据就会不完整。这个值一般在10-14，别收的太紧。


10：tRTP
上面讲tRAS时候已经讲过这个小参，就不赘述了，数字根据锐龙计算器的来，激进点的可以按照tRTP=tWR/2来设置，老规矩，不稳再放宽，一般情况下，tRTP的值低于tWR的值。


11：终端阻抗
终端阻抗的值随着频率的提高而提高，最重要的ProcODT 在上面第8点已经说了，其余3个小参，照抄锐龙计算器吧，计算器让你OFF你就OFF。


12：CAD_BUS阻抗
玄学小参，在关闭GDM跑真1T的时候，如果MT或者TM5跑不过，别照抄锐龙计算器的，试试这组参数吧，别问我原因，我也不知道为什么，但很多人设置后就能真1T了，玄学。
三星Bdie和海力士CJR可以试试60/20/20/24
美光Edie(C9BJZ)甚可以试试120/20/20/24


13：其他
其他的小参，包括但不限于PDM,BGS,BGS alt，等等，如果你想手动改的话，照抄锐龙计算器吧。一杯茶，一盒烟，一套小参调一天。等你到了调整其他小参的时候，恭喜你，你已经变得跟我一样，着魔了，所有的空闲时间，都交给内存条和BIOS了。