第三代半導體材料主要以氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)為主。碳化矽(SiC)生產過程分為SiC單晶生長、外延層生長及器件制造三大步驟，對應的是產業鏈襯底、外延、器件與模組三大環節。



GaN產業鏈按環節分為Si襯底(或GaN單晶襯底、SiC、藍寶石)、GaN材料外延、器件設計、器件制造、封測以及應用。各個環節國內均有企業涉足，如在射頻領域，SiC襯底生產商有天科合達、山東天嶽等，GaN襯底有維微科技、科恒晶體、鎵鋁光電等公司。外延片涉足企業有晶湛半導體、聚能晶源、英諾賽科等。蘇州能訊、四川益豐電子、中科院蘇州納米所等公司則同時涉足多環節，力圖形成全產業鏈公司。



市場規模：產能、規模高速增長

國家的大力支持下，國內第三代半導體產線陸續開通，產能不斷增加。據CASA Research不完全統計，2019年，國內主要企業Si基GaN外延片(不含LED)折算6英寸產能約為20萬片/年，Si基GaN器件(不含LED)折算6英寸產能約為19萬片/年。SiC基GaN外延片折算4英寸產能約為10萬片/年，SiC基GaN器件折算4英寸產能約為8萬片/年。

SiC方面，國內主要企業導電型SiC襯底折合4英寸產能約為50萬片/年，半絕緣SiC襯底折合4英寸產能約為寸產能約為20萬片/年;SiC外延片折算6英寸產能約為20萬片/年。



2016-2019年我國SiC、GaN電力電子產業值持續提高。據CASA初步統計，2019年，我國SiC、GaN電力子和微波射頻產值(供給)超過60億元。2019年我國SiC、GaN電力子產值規模達26億元，同比增長84%。




GaN微波射頻產值方面，2016年9月科技部立項國家重點研發計劃，旨在針對5G通信需求，建立開放的工藝代工線，實現GaN器件與電路在通信系統的應用，推動我國第三代半導體在射頻功率領域的可持續發展。我國GaN微波射頻產值不斷增長，據CASA數據，2019年我國GaN微波射頻產值規模近38億元，同比增長74%。


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