昨天，北京元芯碳基集成电路研究院举办媒体发布会，该院中国科学院院士、北京大学教授彭练矛和张志勇教授带领的团队，经过多年研究与实践，解决了长期困扰碳基半导体材料制备的瓶颈，如材料的纯度、密度与面积问题。他们的这项研究成果已经被收录在今年5月22日的《科学》期刊“应用物理器件科技”栏目中。

碳基技术也是发达国家一直研发预替代硅基的新技术。由于我国碳基技术起步较早，目前的技术是基于二十年前彭练矛院士提出的无掺杂碳基CMOS技术发展而来，近年来取得了一系列突破性的进展，极大地提升了我国在世界半导体行业的话语权。

碳基半导体材料制备取得突破

据国家海关数据统计，中国每年进口芯片的花费高达3000亿美元，甚至超过了进口石油的花费，位列国内进口商品第一位。“芯片国产化”已经成为国家未来长期重要的发展战略。

目前芯片绝大部分采用硅基材料的集成电路技术，该项技术被国外厂家长期垄断。由于摩尔定律的日渐式微，当下的硅基芯片技术即将碰触极限。采用硅以外的材料做集成电路一直是国外半导体前沿的技术。

相比于硅基，碳基半导体具有成本更低、功耗更小、效率更高的优势，更适合在不同领域的应用而成为更好的半导体材料选项。碳基技术也是西方发达国家一直研发预备替代硅基的新技术。斯坦福大学的研究表明，碳管技术有望将常规的二维硅基芯片技术发展成三维芯片技术，这至少能将当前芯片的综合能力提升1000倍以上。